Der erste 4-Zoll-Einkristall-Aluminiumnitrid-Wafer erschließt Strom ...

Der Prozess ist für die Züchtung von AlN-Massen-Einkristallwafern skalierbar, um den Produktionsanforderungen dieses Halbleitermaterials für Leistungsgeräte und UVC-LEDs aufgrund seiner extrem großen Bandlücke und sehr hohen Wärmeleitfähigkeit gerecht zu werden.

Das 100-mm-Substrat hat eine nutzbare Fläche von über 80 %, basierend auf den aktuellen Anforderungen für UVC-LEDs.

„Wir freuen uns sehr, die Entwicklung eines 4-Zoll-Massensubstrats aus Aluminiumnitrid bekannt zu geben“, sagte Dr. Naohiro Kuze, Executive Fellow, Research Laboratory of Advanced Science and Technology von Asahi Kasei, der Muttergesellschaft von Crystal IS. „Dieser Erfolg zeigt, dass Aluminiumnitrid für neue Industrien über die reine UVC-LED hinaus kommerziell nutzbar ist.“

Crystal IS wurde 1997 zur Entwicklung nativer Aluminiumnitrid-Substrate gegründet und stellt UVC-LEDs nach seinem kommerziellen Verfahren für Substrate mit 2 Zoll Durchmesser her. Diese Klaran- und Optan-LEDs werden bei desinfizierenden Wellenlängen von 260 nm – 270 nm verwendet.

Die Kommerzialisierung von 4-Zoll-AlN-Substraten wird die Geräteproduktion der bestehenden Anlage auf Green Island in New York vervierfachen. Es wird auch die Entwicklung neuer Anwendungen auf Aluminiumnitrid-Substraten ermöglichen, da es in bestehende Fertigungslinien für Leistungs- und HF-Geräte unter Verwendung alternativer Materialien integriert wird.

www.asahi-kasei.com